RAM
Random Access Memory
随机访问存储 -- 对任意区域有着几乎一致的访问时间。与硬盘相类比,前者好比打电话,任意号码接通时间大致一样;后者好比走街串巷,拜访A街1号房和B街1号房,起始点在A还是B,对所耗时间有着非常大的影响。
这也就是为什么硬盘销售商一般标称的读/写速度在实际中很难达到,标称的顺序读/写速度,可以理解为在A街按顺序从1号房开始拜房,而日常大部分应用场景,很大概率从A街1号房完成拜访,下一个目的地是B街21号房,效率明显会大打折扣。
SRAM & DRAM
- SRAM - Static RAM
- 常用作CPU缓存
- DRAM - Dynamic RAM
- 数据存储在1C1T Cell
- 比SRAM更廉价,也比SRAM速度略慢
- 用作大部分可更换存储(内存、主存、DIMM,随便怎么叫)
ECC
Error Correcting Code
- 增加了探测并更正随机错误的单元的DRAM
- 常用作服务器内存,需要其它部件支持(CPU、主板)
SDRAM & DDR
SDRAM - Synchronouse Dynamic RAM
为响应计算机其它各部件日益增长的运行速度,SDRAM被开发出来。在之前,内存是异步的,独立于CPU运行。
而SDRAM内存则与系统总线同步响应。
DDR内存出现后,与之对应,SDRAM也被称为SDR,Single Date Rate。
DDR - Double Date Rate
- 更快
- 更省电
相对来说,内存电压越低,功耗越低,发热量就越小,也更省电。
各种DDR内存电压:
- | 电压 |
---|---|
DDR | 2.5V |
DDR2 | 1.8V |
DDR3 | 1.5V |
DDR4 | 1.2V |
DDR5 | 1.1V |
SDR vs DDR
- SDR - used only one edge of the clock signal to transfer data^1
- DDR - transfers data on both the rising and falling edges of the clock signal